為什么有些mos管要用三極管驅(qū)動(dòng)，單片機(jī)IO不能直接驅(qū)動(dòng)嗎？

MOS管相比三極管來講，具有更低的導(dǎo)通內(nèi)阻，在驅(qū)動(dòng)大功率的負(fù)載時(shí)，發(fā)熱量就會(huì)小很多。MOS管的驅(qū)動(dòng)與三極管有一個(gè)比較大的區(qū)別，MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型的元件，如果驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)不到要求，MOS就會(huì)不完全導(dǎo)通，內(nèi)阻變大而造成過熱。

MOS管驅(qū)動(dòng)電路

MOS管分為N溝道與P溝道兩種，N溝道用于電源負(fù)極的控制，P溝道用于電源正極的控制，兩者直接的控制信號(hào)電壓也存在區(qū)別。對(duì)于NMOS來講，當(dāng)柵極與源極的電壓超過一定電壓閾值的之后就會(huì)導(dǎo)通，PMOS與之相反。

NMOS與PMOS還有一點(diǎn)比較大的區(qū)別，NMOS的導(dǎo)通內(nèi)阻一般比PMOS要小一些，并且制造成本性對(duì)較低，所以在功率較大的控制場合，一般會(huì)選用NMOS，當(dāng)然也要根據(jù)控制電路的邏輯關(guān)系進(jìn)行選擇。以NMOS為例，當(dāng)Vgs大于最小控制電壓閾值時(shí)，MOS管會(huì)導(dǎo)通，但是其導(dǎo)通內(nèi)阻無法達(dá)到最小設(shè)計(jì)值，所以想要保證其導(dǎo)通內(nèi)阻，就要有足夠的控制驅(qū)動(dòng)電壓。

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